кремневая подушка асония

Чтобы доказать коллегам, что его схема работает, Яо срезал углеродную нанотрубку для локализации места переключения, а затем при помощи сфокусированного пучка ионов отрезал очень тонкий «ломтик» оксида кремния и под трансмиссионным электронным микроскопом иде

Как ни странно, Яо далеко не сразу удалось убедить скептически настроенных коллег в том, что он смог повторить «графитовый» опыт с использованием одного только оксида кремния. «Это наука, ЂЂЂ считает Яо. ЂЂЂ Если вы ведёте какие-то исследования, и все кивают вам в знак одобрения, то ваше занятие наверняка не очень важно. А вот если вы занимались чем-то, и все мотали головами, а потом вы всё-таки доказали свою правоту, то вы, возможно, наткнулись на что-то значительное. Неважно, верят ли вам, важно, правы ли вы или нет».

Ширина цепочки составила всего пять нанометров, что вдвое меньше ширины графитовых полосок и в десятки раз меньше производственных норм для самых современных серийных микросхем. Это значит, что использование подобных ячеек на основе оксида кремния в микросхемах памяти позволит как минимум в десятки раз повысить плотность твёрдотельных накопителей по сравнению с нынешним уровнем.

Когда Яо подал на электроды напряжение, он, вероятно, испытал тот же набор эмоций, что и Архимед, кричавший «Эврика!», выпрыгивая нагишом из ванны. Под влиянием электричества из оксида кремния высвободилось несколько атомов кислорода, а из нанокристаллов кремния сформировалась проводящая цепь. Как и в случае с графитом, эту цепочку можно было последовательно разрывать и восстанавливать, подавая на неё электрический ток с тем или иным напряжением.

Однако входивший в состав этой группы учёных аспирант Цзюнь Яо решил докопаться до физических основ процесса и продолжил эксперименты. Он стал заменять графит другими похожими по свойствам углеродными материалами и пытался повторить опыт ЂЂЂ безрезультатно. На каком-то этапе подбора подходящих веществ Яо зажал очень тонкий «ломтик» оксида кремния между листами поликристаллического кремния. При этом характеристики оксида кремнияPпослужил диэлектриком, а листы из полупроводника поликристаллического кремния выступили в роли электродов.

Эта история началась год назад в американском Университете Райса, штат Техас. Группа учёных под руководством профессора Джеймса Тура проводила в университетской лаборатории исследования, целью которых было найти способ создания элементов памяти из углеродных материалов. Работа увенчалась успехом: был получен опытный образец ячейки памяти из графитовых полосок шириной 10 нанометров и толщиной в 10 атомов, которые под действием тока могли разрываться и снова соединяться, то есть «записывать» логические нули и единицы. Механизм этого явления не был тогда окончательно понят и дальше гипотез дело не пошло.

Трехмерная ячейка памяти на основе характеристик оксида кремния.

Трехмерная ячейка памяти на основе характеристик оксида кремния. | Технологии будущего